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IR2127SPBF Real Image
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IR2127SPBF

Teil Nr. IR2127SPBF
Hersteller Infineon Technologies
Katalog PMIC - Gate Drivers
Beschreibung IC MOSFET DRVR CURR SENSE 8SOIC
Datenblatt
IR2127SPBF Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Integrated Circuits
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Tube/Rail
Status Active
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side
Kanal-Typ Single
Anzahl von Fahrern 1
Tor-Typ IGBT, N-Channel MOSFET
Versorgungsspannung - Betrieb 12 V to 20 V
Logische Spannung - VIL, VIH 0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA
Eingabe Typ Non-Inverting
High Side Spannung - Max (Bootstrap) 600V
Anstiegs- und Abfallzeit 80ns, 40ns
Temperaturbereich - Betrieb -40°C to 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket 8-SOIC
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 140692-IR2127SPBF
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 63 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IR2127SPBF CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies IR2127SPBF is an integrated circuit that is ideal for use in a variety of applications.

  • Channel: Single
  • Input Type: Non-inverting
  • Driven Configuration: High-side or low-side
  • Number of Drivers: 1
  • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
  • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
  • Current - Peak Output (source, sink): 250mA, 500mA
  • High Side Voltage - max (bootstrap): 600V
  • Package: 8-SOIC
  • Temperature Range: -40°C to 150°C (TJ)
  • Supply Voltage - Operating: 12 V to 20 V
  • Rise and Fall Time: 80ns, 40ns

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
100+ 0.5202$ 52.0200$
210+ 0.4867$ 102.2070$
320+ 0.4699$ 150.3680$
460+ 0.4363$ 200.6980$
600+ 0.4196$ 251.7600$
745+ 0.4028$ 300.0860$
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