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BC857BLT1G

Teil Nr. BC857BLT1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Transistors (BJT) - Single
Beschreibung TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 / Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Transistor-Polarität PNP
Maximaler Strom Kollektor 100mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 45V
Max Vce (sat) 650mV @ 5mA, 100mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 15nA (ICBO)
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 220 @ 2mA, 5V
Maximale Verlustleistung 300mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOT-23-3 (TO-236)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 011156-BC857BLT1G
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 38 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Anwendungsbereich Used in Industrial
Familienname BC857BL
Einführung Datum July 11, 1997
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum 2026
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BC857BLT1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor BC857BLT1G - PNP-Bipolartransistor

Der BC857BLT1G ist ein bipolarer PNP-Hochleistungstransistor von ON Semiconductor, der für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Kleinsignaltransistor zeichnet sich durch eine niedrige Verlustleistung und eine hohe Stromverstärkung aus, was ihn zu einer idealen Wahl für Schalt- und Verstärkungszwecke mit niedrigem Stromverbrauch macht.

Der Baustein ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht, das sich gut für automatisierte Oberflächenmontageprozesse eignet und so konzipiert ist, dass er nur wenig Platz auf einer Leiterplatte benötigt. Der BC857BLT1G zeichnet sich durch eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -45V und einen Kollektorstrom von bis zu -100mA aus, was für die meisten Anwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung ausreichend ist.

Der Transistor weist eine hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) auf, die typischerweise im Bereich von 420 bis 800 liegt und einen effizienten Betrieb in Verstärkerschaltungen gewährleistet. Dies macht den BC857BLT1G besonders nützlich für Audioverstärker, Signalverarbeitung und andere Anwendungen, bei denen eine Signalverstärkung mit minimalem Leistungsverlust entscheidend ist.

Der BC857BLT1G ist auf Zuverlässigkeit und Leistung ausgelegt und bietet außerdem eine hervorragende Linearität und niedrige Rauschwerte. Diese Eigenschaften machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen in empfindlichen Audio- und HF-Signalketten, bei denen die Aufrechterhaltung der Signalintegrität von größter Bedeutung ist.

ON Semiconductor hat sich dem Umweltschutz verschrieben. Der BC857BLT1G entspricht den RoHS-Richtlinien (Restriction of Hazardous Substances) und ist somit frei von vielen schädlichen Substanzen, die üblicherweise in elektronischen Komponenten verwendet werden.

Ganz gleich, ob Sie Unterhaltungselektronik, industrielle Steuerungssysteme oder tragbare Geräte entwickeln, der BC857BLT1G bietet die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie von einem führenden Halbleiterhersteller erwarten. Mit seinem robusten Design und seinen vielseitigen Anwendungen ist dieser PNP-Transistor ein unverzichtbares Bauteil für jedes Elektronikprojekt, das eine kompakte und effiziente Lösung zur Leistungsverstärkung und zum Schalten erfordert.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
2,120+ 0.0236$ 50.0320$
4,525+ 0.0221$ 100.0025$
7,010+ 0.0214$ 150.0140$
10,055+ 0.0199$ 200.0945$
13,025+ 0.0192$ 250.0800$
16,305+ 0.0184$ 300.0120$
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