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ES1JLW RVG
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ES1JLW RVG

Teil Nr. ES1JLW RVG
Hersteller Taiwan Semiconductor
Katalog Diodes, Rectifiers - Single
Beschreibung DIODE, SUPER FAST, 1A, 600V, 35N
Datenblatt
ES1JLW RVG Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Taiwan Semiconductor
Status Active
Diode Typ Standard
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit (Frequenz) Fast Recovery = 200mA (Io)
Rücklaufende Erholungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckstrom @ Vr 5μA @ 600V
Kapazität @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOD123W
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C to 175°C
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 1037007-ES1JLW RVG
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 69 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Menge pro Paket 3k pcs
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian ES1JLW RVG CAD-Modell

Beschreibung

The Taiwan Semiconductor ES1JLW RVG is a standard diode type with a voltage - DC reverse (Vr) (Max) of 600V and a current - average rectified (Io) of 1A.

  • Voltage - Forward (Vf) (Max): 1.7V @ 1A
  • Reverse Recovery Time (trr): 35ns
  • Current - Reverse Leakage @ Vr: 5μA @ 600V
  • Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
  • Operating Temperature Range: -55°C to 175°C
  • Speed (Frequency): fast recovery = 200mA (Io)

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