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DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

DF10G6M4N,LF

Teil Nr. DF10G6M4N,LF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Katalog TVS - Diodes
Beschreibung ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Protection Diode
Datenblatt
DF10G6M4N,LF Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Circuit Protection
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Verpackung Reel - TR
Status Active
Typ Zener
Bidirektionale Kanäle 4
STAND-OFF Spannung (Vwm) 5.5V (Max)
Minimale Durchschlagsspannung 5.6V
Maximale Klemmenspannung 25V
Impulsspitzenstrom (Ippm) 2A (8/20μs)
Verlustleistung - Pd 30W
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz 0.2pF @ 1MHz
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket 10-DFN (2.5x1)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 1032852-DF10G6M4N,LF
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 87 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Familienname DF10G6M4N
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Geschätztes EOL-Datum 2027
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian DF10G6M4N,LF CAD-Modell

Beschreibung

Toshiba Semiconductor and Storage's DF10G6M4N Zener diode is a reliable choice for general purpose applications.

  • Maximum Stand-Off Voltage: 5.5V
  • Minimum Breakdown Voltage: 5.6V
  • Number of Channels: 4
  • Diode Configuration: Bidirectional
  • Capacitance: 0.2pF @ 1MHz
  • Family: DF10G6M4N
  • Package: 10-DFN (2.5x1)
  • Peak Pulse Current: 2A (8/20μs)
  • Power Dissipation: 30W
  • ECCN: EAR99
  • Estimated EOL Date: 2027

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