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Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

SI2302-TP

Teil Nr. SI2302-TP
Hersteller Micro Commercial Co
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
Datenblatt
SI2302-TP Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Micro Commercial Co
Verpackung Reel - TR
Status Active
Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Drain-Source-Durchbruchsspannung 20V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Gate-Source Schwellenspannung 1.2V @ 50μA
Maximale Gate-Ladung 10nC @ 4.5V
Maximale Eingangskapazität 237pF @ 10V
Maximale Gate-Source-Spannung ±8V
Verlustleistung (Max) 1.25W (Ta)
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOT-23
Dimension TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 1095724-SI2302-TP
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 28 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Menge pro Paket 3k pcs
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian SI2302-TP CAD-Modell

Beschreibung

The Micro Commercial Co SI2302-TP is an N-channel MOSFET that is designed to handle a maximum power dissipation of 1.25W.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Maximum Rds On: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Maximum Gate Charge: 10nC @ 4.5V
  • Maximum Input Capacitance: 237pF @ 10V
  • Package: SOT-23
  • Dimension: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Quantity: 3k pcs

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Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
460+ 0.1091$ 50.1860$
1,120+ 0.0896$ 100.3520$
1,730+ 0.0868$ 150.1640$
2,385+ 0.0840$ 200.3400$
3,080+ 0.0812$ 250.0960$
4,125+ 0.0728$ 300.3000$
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