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BCP51,115 Nexperia USA Inc.
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

BCP51,115

Teil Nr. BCP51,115
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog RF Transistors (BJT)
Beschreibung TRANS PNP 45V 1A SOT223 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Datenblatt
BCP51,115 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products>Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Mfr Nexperia USA Inc.
Paket Tape & Reel
Transistor Typ PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 45 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (Max) 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Leistung - Max 1 W
Frequenz - Übergang 145MHz
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Verpackung / Koffer TO-261-4, TO-261AA
Lieferant Gerätepaket SOT-223
Basis-Produktnummer BCP51
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075
Andere Namen 1727-4885-6,568-6102-6-ND,1727-4885-2,1727-4885-1,568-6102-2-ND,933917270115,568-6102-1-ND,568-6102-6,568-6102-2,BCP51,115-ND,BCP51 T/R,BCP51 T/R-ND,568-6102-1,BCP51115
Standard-Paket 1,000
Win Source Teilenummer 1145856-BCP51,115
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 69 pct.
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BCP51,115 CAD-Modell

Beschreibung

The BCP51 is a PNP bipolar transistor with a maximum power rating of 1W.

  • Power - Max: 1W
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage: 45V
  • Collector Current Rating: 1A
  • Vce Saturation: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Collector Cutoff Current: 100nA
  • DC Current Gain: 63 @ 150mA, 2V
  • Transition Frequency: 145MHz
  • Package: TO-261-4, TO-261AA
  • Supplier Device Package: SOT-223
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • REACH: Unaffected
  • Alternative Part Numbers: BCP51,115 and BCP51115

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420+ 0.2389$ 100.3380$
650+ 0.2314$ 150.4100$
895+ 0.2239$ 200.3905$
1,155+ 0.2165$ 250.0575$
1,550+ 0.1941$ 300.8550$
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