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BC847QASZ Real Image
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BC847QASZ

Teil Nr. BC847QASZ
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog Transistors (BJT) - Arrays
Beschreibung TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Datenblatt
BC847QASZ Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products>Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Hersteller Nexperia USA Inc.
Verpackung Reel - TR
Transistor Typ 2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (Max) 15nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Leistung - Max 350mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage Surface Mount
Koffer/Paket 6-XFDFN Exposed Pad
Lieferant Gerätepaket DFN1010B-6
Basis-Produktnummer BC847
RoHS-Status ROHS3 Compliant
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075
Andere Teilenummer 568-12527-2,1727-2244-6,568-12527-6,568-12527-2-ND,568-12527-1-ND,1727-2244-2,934068722147,1727-2244-1,568-12527-6-ND,568-12527-1
Standard-Paket 5,000
Win Source Teilenummer 1325638-BC847QASZ
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 84
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BC847QASZ CAD-Modell

Beschreibung

The BC847QASZ is a dual NPN bipolar transistor array manufactured by Nexperia USA Inc.

  • Maximum Power: 350mW
  • Voltage Collector Emitter Breakdown: 45V
  • DC Current Gain: 200 @ 2mA and 5V
  • Frequency Transition: 100MHz
  • Package: DFN1010B-6
  • Temperature Range: 150°C (TJ)

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6,250+ 0.0185$ 115.6250$
9,680+ 0.0179$ 173.2720$
13,335+ 0.0173$ 230.6955$
17,245+ 0.0168$ 289.7160$
23,080+ 0.0150$ 346.2000$
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