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PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc.
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PMCXB900UELZ

Teil Nr. PMCXB900UELZ
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog FETs - Arrays
Beschreibung 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
Datenblatt
PMCXB900UELZ Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Mfr Nexperia USA Inc.
Serie -
Paket Tape & Reel
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel Complementary
FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierlicher Drain (Id) @ 25°C 600mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Leistung - Max 380mW
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 150°C (TJ)
Montage Typ Surface Mount
Verpackung / Koffer 6-XFDFN Exposed Pad
Lieferant Gerätepaket DFN1010B-6
Basis-Produktnummer PMCXB900
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Win Source Teilenummer 1376809-PMCXB900UELZ
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 37 pct.
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian PMCXB900UELZ CAD-Modell

Beschreibung

The 1376809-PMCXB900UELZ is a MOSFET array from Nexperia USA Inc.

  • Application: Discrete Semiconductor
  • Operating Temperature: -55°C to 150°C
  • Drain-Source Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 600mA @ 25°C
  • On-Resistance (Max): 620mOhm @ 600mA and 4.5V Gate-Source Voltage
  • Gate Charge: 0.7nC @ 4.5V Gate-Source Voltage
  • Input Capacitance: 21.3pF @ 10V Drain-Source Voltage
  • RoHS Compliant: Yes
  • REACH Unaffected: Yes
  • Power Dissipation (Max): 380mW

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