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BAT54HT1G

Teil Nr. BAT54HT1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Diodes, Rectifiers - Single
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Diode Typ Schottky
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) 30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA
Rücklaufende Erholungszeit (trr) 5ns
Strom - Rückwärtsleckstrom @ Vr 2μA @ 25V
Kapazität @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOD-323
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C to 150°C
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 010992-BAT54HT1G
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 71 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Familienname BAT54H
Einführung Datum December 06, 1999
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum 2023
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BAT54HT1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor BAT54HT1G Schottky-Barriere-Diode

Die BAT54HT1G von ON Semiconductor ist eine hocheffiziente Schottky-Barrierediode, die eine ausgezeichnete Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen bietet. Diese Kleinsignaldiode wurde für Hochgeschwindigkeitsschaltungen entwickelt und zeichnet sich durch einen geringen Durchlassspannungsabfall aus, was sie zu einer idealen Wahl für Situationen macht, in denen die Leistungseffizienz entscheidend ist.

Wesentliche Merkmale

  • Niedriger Vorwärts-Spannungsabfall: Die BAT54HT1G weist einen niedrigen Vorwärts-Spannungsabfall auf, der die Systemeffizienz durch Minimierung der Verlustleistung während des Betriebs verbessert.
  • High-Speed Switching: Mit ihren schnellen Schaltfähigkeiten ist diese Diode gut für Hochgeschwindigkeitsanwendungen geeignet und gewährleistet, dass elektronische Schaltungen mit kurzen Reaktionszeiten arbeiten können.
  • Oberflächenmontiertes Gehäuse: Die BAT54HT1G ist in einem SOD-123-Gehäuse untergebracht und für die Oberflächenmontage vorgesehen, wodurch sie sich leicht in eine Vielzahl von elektronischen Baugruppen integrieren lässt.
  • Bleifrei und RoHS-konform: Dieses Produkt wird unter Verwendung umweltfreundlicher Materialien und Prozesse hergestellt und entspricht der RoHS-Richtlinie (Restriction of Hazardous Substances), wodurch sichergestellt wird, dass es die globalen Umweltstandards erfüllt.

Anwendungen

Der BAT54HT1G ist vielseitig und kann in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, darunter

  • Power-Management-Systeme
  • DC-DC-Wandler
  • Lade- und Entladeschaltungen für das Batteriemanagement
  • Schutzschaltungen
  • Signal-Demodulation
  • Logische Schaltungen

Technische Daten

Einige der technischen Daten des BAT54HT1G sind

  • Spitzen-Repetitiv-Rückwärtsspannung: 30 V
  • Vorwärts-Dauerstrom: 200 mA
  • Verlustleistung: 225 mW
  • Sperrschichttemperaturbereich: -55°C bis +125°C

Mit ihrer Kombination aus hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Verlustleistung und kompaktem oberflächenmontiertem Design ist die Schottky-Barrierediode BAT54HT1G von ON Semiconductor eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die die Leistung und Effizienz ihrer elektronischen Produkte verbessern wollen.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
2,140+ 0.0234$ 50.0760$
4,570+ 0.0219$ 100.0830$
7,080+ 0.0212$ 150.0960$
10,155+ 0.0197$ 200.0535$
13,160+ 0.0190$ 250.0400$
16,485+ 0.0182$ 300.0270$
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