ON Semiconductor BC857BDW1T1G - PNP-Bipolartransistor

Der BC857BDW1T1G von ON Semiconductor ist ein bipolarer PNP-Sperrschichttransistor (BJT), der für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Halbleiterbauelement ist Teil des umfangreichen Sortiments an diskreten Transistoren von ON Semiconductor, die hohe Zuverlässigkeit und Leistung bei kompakten Gehäusegrößen bieten.

Hauptmerkmale:

• Transistor-Polarität: PNP - Dies bedeutet, dass die primären Ladungsträger, die für den Stromfluss verantwortlich sind, Löcher sind, wodurch er sich für den Einsatz auf der negativen Seite einer Schaltung eignet.
• Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 45V - Die maximale Spannung, die bei offener Basis sicher vom Kollektor zum Emitter angelegt werden kann.
• Kollektorstrom (Ic): 100mA - Der maximale Dauerstrom, der durch den Kollektor des Transistors fließen kann.
• Verlustleistung (Pd): 250mW - Die Leistung in Milliwatt, die der Transistor ohne Schaden ableiten kann.
• Gleichstromverstärkung (hFE): 220 bis 475 - Ein Maß für die Verstärkungsfähigkeit des Transistors, das angibt, wie stark der Kollektorstrom bei einem bestimmten Basisstrom verstärkt wird.
• Sperrschichttemperaturbereich für Betrieb und Lagerung: -55°C bis +150°C - Der Temperaturbereich, in dem das Bauteil sicher betrieben werden kann, ohne seine Funktionalität zu beeinträchtigen.
• Gehäuse: SOT-323 - Ein kleines Transistorgehäuse, das sich ideal für platzbeschränkte Anwendungen eignet.

Anwendungen:

Der BC857BDW1T1G-Transistor ist vielseitig und kann in verschiedenen elektronischen Schaltungen eingesetzt werden, unter anderem in

• Audio-Verstärker
• Signalverarbeitung
• Leistungsmanagement
• Schalt- und Regelkreise
• Unterhaltungselektronik
• Telekommunikation

Der BC857BDW1T1G von ON Semiconductor ist ein zuverlässiger PNP-Transistor, der eine Mischung aus Leistung, Effizienz und Miniaturisierung bietet und damit eine ausgezeichnete Wahl für Designer und Ingenieure darstellt, die ihre elektronischen Designs optimieren wollen.