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IRFD120 Real Image
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IRFD120

Teil Nr. IRFD120
Hersteller Vishay
Katalog FETs - Single
Beschreibung 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Muster
Rohs-status Muss überprüft werden
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Vishay Siliconix
Verpackung Tube
Status Obsolete
Transistor-Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 100V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 1.3A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 270mOhm at 780mA, 10V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 4V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 16nC at 10V
Gate Source Spannung (Maximum) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 360pF at 25V
Verlustleistung (maximal) 1.3W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 175°C
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Hersteller Paket 4-DIP
Hersteller Packmenge 2,500
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 1187560-IRFD120
Hersteller Homepage www.intersil.com/cda/home
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 70 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Anwendungsbereich Used in Power Management
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRFD120 CAD-Modell

Beschreibung

The Vishay Siliconix IRFD120 is an N-Channel MOSFET transistor that features a 100V drain-source breakdown voltage and a continuous drain current of 1.3A.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 1.3A
  • Maximum Rds On: 270mOhm @ 780mA
  • Gate-Source Voltage: ±20V
  • Power Dissipation: 1.3W
  • Package: 4-DIP
  • Operating Temperature Range: -55°C to 175°C

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31+ 1.6508$ 51.1748$
65+ 1.5463$ 100.5095$
101+ 1.4941$ 150.9041$
144+ 1.3896$ 200.1024$
187+ 1.3374$ 250.0938$
234+ 1.2851$ 300.7134$
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