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IRFD120PBF Real Image
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IRFD120PBF

Teil Nr. IRFD120PBF
Hersteller Vishay
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Datenblatt
IRFD120PBF Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Vishay
Verpackung Tube/Rail
Status Active
Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Drain-Source-Durchbruchsspannung 100V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Gate-Source Schwellenspannung 4V @ 250μA
Maximale Gate-Ladung 16nC @ 10V
Maximale Eingangskapazität 360pF @ 25V
Maximale Gate-Source-Spannung ±20V
Verlustleistung (Max) 1.3W (Ta)
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 270 mOhm @ 780mA, 10V
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 175°C (TJ)
Montage Through Hole
Koffer/Paket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dimension 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 017590-IRFD120PBF
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 40 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRFD120PBF CAD-Modell

Beschreibung

The IRFD120PBF is a N-Channel MOSFET transistor that is manufactured by Vishay.

  • Maximum Power Dissipation: 1.3W (Ta)
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Popularity: high
  • Supply and Demand Status: balance
  • Application: commonly used in switching applications
  • Maximum Rds On @ Id,Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 10V

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Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
31+ 1.6508$ 51.1748$
65+ 1.5463$ 100.5095$
101+ 1.4941$ 150.9041$
144+ 1.3896$ 200.1024$
187+ 1.3374$ 250.0938$
234+ 1.2851$ 300.7134$
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