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IRLD120PBF Real Image
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IRLD120PBF

Teil Nr. IRLD120PBF
Hersteller Vishay
Katalog FETs - Single
Beschreibung HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Vishay Siliconix
Verpackung Tube
Transistor-Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 100V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 1.3A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 270mOhm at 780mA, 5V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 2V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 12nC at 5V
Gate Source Spannung (Maximum) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 490pF at 25V
Verlustleistung (maximal) 1.3W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 175°C
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Hersteller Paket 4-DIP
Hersteller Packmenge 100
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 1188533-IRLD120PBF
Hersteller Homepage www.irf.com
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 31 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Anwendungsbereich Used in Industrial, Power Management
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRLD120PBF CAD-Modell

Beschreibung

The Vishay Siliconix IRLD120PBF is an N-channel MOSFET transistor manufactured by Vishay Siliconix.

  • Type: Through-hole MOSFET
  • Application: Industrial and Power Management
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 1.3A
  • Maximum Rds On: 270mOhm @ 780mA and 5V
  • Gate-Source Voltage(th): 2V @ 250μA
  • Gate Charge (Qg): 12nC @ 5V
  • Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

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95+ 1.0588$ 100.5860$
150+ 1.0258$ 153.8700$
205+ 0.9927$ 203.5035$
265+ 0.9596$ 254.2940$
350+ 0.8603$ 301.1050$
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