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SIZ790DT-T1-GE3 Real Image
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SIZ790DT-T1-GE3

Teil Nr. SIZ790DT-T1-GE3
Hersteller Vishay
Katalog FETs - Arrays
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Datenblatt
SIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Mfr Vishay
Serie SkyFET®, TrenchFET®
Paket Tape & Reel
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierlicher Drain (Id) @ 25°C 16A, 35A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 15V
Leistung - Max 27W, 48W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 150°C (TJ)
Montage Typ Surface Mount
Verpackung / Koffer 6-PowerPair™
Lieferant Gerätepaket 6-PowerPair™
Basis-Produktnummer SIZ790
Standard-Paket 3,000 pcs
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Win Source Teilenummer 667357-SIZ790DT-T1-GE3
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 41pct.
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian SIZ790DT-T1-GE3 CAD-Modell

Beschreibung

The SIZ790DT-T1-GE3 is a logic level gate N-Channel MOSFET array from Vishay's SkyFET and TrenchFET series.

  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A @ 25°C and 35A
  • Rds On (Max): 9.3mOhm @ 15A and 10V
  • Mounting: Surface Mountable
  • Package: 6-PowerPair
  • Temperature Range: -55°C to 150°C
  • Status: Obsolete

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